Toshiba представляет МОП-транзисторы Superjunction на основе технологического процесса с глубокой канавкой пятого поколения

23.05.2016 Компания Toshiba Electronics Europe объявляет о разработке технологического процесса производства полупроводниковых приборов Superjunction (SJ) с глубокой канавкой нового поколения для изготовления высокоэффективных МОП-транзисторов.  Устройства, изготовленные на основе нового технологического процесса DTMOS V, обеспечивают снижение уровня шума от электромагнитных помех и сопротивления в открытом состоянии (RDS(ON)) по сравнению с МОП-транзисторами на основе предыдущего технологического процесса DTMOS IV. 



Как и предыдущая технология производства полупроводниковых приборов DTMOS IV, технология DTMOS V предусматривает один эпитаксиальный процесс с «травлением глубоких канавок» и последующим формированием эпитаксиального слоя p-типа).  Процесс заполнения глубоких канавок позволяет сократить шаг между ячейками и снизить RDS(ON) по сравнению с более традиционными планарными технологическими процессами. Технологический процесс с глубокой канавкой компании Toshiba обеспечивает лучшее значение теплового коэффициента RDS(ON) по сравнению с традиционными МОП-транзисторами Superjunction на основе многостадийного эпитаксиального процесса.

Благодаря технологическому процессу DTMOS V компании Toshiba удалось добиться снижения RDS(ON) в транзисторе TK290P60Y в корпусе DPAK до 17 % по сравнению с МОП-транзистором TK12P60W, обладающим минимальным значением RDS(ON) среди устройств на основе технологии DTMOS IV. Компании также удалось дополнительно оптимизировать соотношение эффективности переключения и шумов от электромагнитных помех.

МОП-транзисторы на основе технологии DTMOS V позволят упростить конструкцию и повысить эффективность силовых преобразователей, в том числе импульсных источников питания, устройств компенсации реактивной мощности (PFC), светодиодных осветительных приборов и других устройств с преобразованием переменного тока в постоянный. Первые МОП-транзисторы на основе технологического процесса пятого поколения будут иметь номинальное напряжение 600 и 650 В и будут выпускаться в корпусах DPAK (TO-252) и TO-220SIS (с «умной изоляцией»). Максимальные значения сопротивления в открытом состоянии будут составлять всего от 0,29 до 0,56 Ом. Для заказа ознакомительных образцов обращайтесь в компанию Toshiba.


Компания Toshiba Electronics Europe