13.08.2015 Компания Toshiba объявила о разработке первого в мире[1] модуля флэш-памяти NAND со стеком из 16 кристаллов (макс.) на базе технологии «сквозных кремниевых межсоединений» Through Silicon Via (TSV). Прототип будет представлен на Саммите по технологиям флэш-памяти 2015, который проходит 11-13 августа в г. Санта-Клара, США.
В предшествующих решениях стеки флэш-памяти NAND объединялись в корпусе микросхемы по принципу проволочного монтажа. Вместо этого, технология TSV использует вертикальные электроды и межсоединения, проходящие сквозь кремниевые кристаллы. Такое решение обеспечивает высокую скорость ввода и вывода данных и сокращает потребление электроэнергии.
Предложенное Toshiba решение TSV позволяет добиться пропускной способности ввода-вывода данных более 1 Гбит/с, что превышает характеристики любой другой флэш-памяти NAND, при низком уровне напряжения: 1,8 В для ядер памяти и 1,2 В для схем ввода/вывода, и приблизительно 50%-ном[2] снижении энергопотребления при операциях записи, чтения и передачи данных ввода/вывода.
Новая флэш-память NAND представляет собой идеальное сочетание малого времени задержки, большой пропускной способности и высокого коэффициента IOPS на ватт мощности для различных сфер применения флэш-накопителей, включая высокопроизводительные SSD-диски корпоративного класса.
Некоторые элементы этой прикладной технологии были разработаны Организацией по разработке новых энергетических и промышленных технологий (NEDO).
Общие спецификации прототипа
Примечания:
[1] По состоянию на 6 августа 2015 г. Исследование Toshiba.
[2] По сравнению с существующими изделиями Toshiba.
Компания Toshiba
_big.jpg'); "2(116)_small.jpg")
