Новинка от компании RFHIC, разработанная на основе нитрида галлия на карбиде кремния (GaN/SiC), предназначена для применения в S-диапазоне и может заменить аналогичные изделия на биполярных транзисторах.
Новый усилитель RRP2729330-09 имеет выходную мощность 330 Вт. При размере в 50,8 × 23 × 9,8 мм этот усилитель позволит как модернизировать существующие решения, так и проектировать современные изделия.
Разработанный для диапазона частот 2,7–2,9 ГГц усилитель собран с использованием транзисторов на основе GaN/SiC-технологии, его коэффициент усиления достигает величины 8,2 дБ, при этом КПД стока составляет 45%. Данное устройство может работать при ширине импульса 500 мкс и максимальном значении скважности 0,2 (рабочий цикл 20%).
Образцы усилителя RRP2729330-09 можно заказать у официального дистрибьютора RFHIC в России и странах СНГ – компании ПРОСОФТ.
Компания ПРОСОФТ
_big.jpg'); "3(99)_small.jpg")
