

С помощью новых транзисторов, основанных на технологии GaN на SiC с рабочим напряжением 50 В и толщиной затвора 0,4 мкм, специалисты-разработчики могут получить отличные показатели мощности и малые искажения, связанные, например, с изменениями формы сигнала.
Данные компоненты имеют предварительное согласование на входе, собраны в металлокерамических фланцевых корпусах или корпусах таблеточного типа, которые значительно меньше, чем аналогичные СВЧ-компоненты на основе арсенида галлия (GaAs) или кремния (Si), что дает возможность обеспечить гибкий подход в проектировании новых решений.
Новые изделия имеют следующие характеристики:
транзистор CGHV14250
- типичная выходная мощность 330 Вт,
- коэффициент усиления составляет 18 дБ,
- типовой КПД стока равен 77%;
транзистор CGHV14500
- типичная выходная мощность 500 Вт,
- коэффициент усиления составляет 17 дБ,
- типовой КПД стока равен 70%.
Образцы новых транзисторов можно заказать у официального дистрибьютора компании CREE Microwave в России и странах СНГ – компании ПРОСОФТ.
Компания ПРОСОФТ