AMG POWER представила трёхфазный SiC MOSFET-модуль A3G200N1700MEK6F

 Компания AMG POWER представила трёхфазный SiC MOSFET-модуль A3G200N1700MEK6F на напряжение 1700 В и ток 200 А. Сопротивление сток-исток в открытом состоянии составляет 13 мОм (типовое значение), паразитная индуктивность — 20 нГн.

Модуль обеспечивает отсутствие тока «хвоста» при выключении MOSFET и оснащён встроенным датчиком температуры NTC. Время обратного восстановления диода — 42 нс. Низкая паразитная индуктивность корпуса позволяет применять модуль в высокочастотных преобразователях. Рабочий диапазон температуры перехода — от –40 до +150 °C, изоляционное испытательное напряжение — 2,5 кВ, тепловое сопротивление переход-теплоотвод — не более 0,12 °C/Вт.

Модуль рассчитан на высокочастотные системы переключения, DC/DC-преобразователи, зарядные устройства для электромобилей и сварочное оборудование. «Макро Групп» является официальным дистрибьютором AMG POWER.