AMG Power представила SiC MOSFET третьего поколения с напряжением 1700 В и током 100 А

 Компания AMG Power объявила о выпуске карбид-кремниевого MOSFET A3G100N1700MDSK, выполненного по технологии третьего поколения. Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1700 В, номинальный ток стока при 25 °C составляет 100 А, импульсный — 200 А.

Сопротивление открытого канала RDS(on) — 26 мОм при напряжении затвора 18 В и токе 50 А. Общий заряд затвора QG — 168 нКл. Энергия включения Eon — 2,32 мДж, выключения Eoff — 0,78 мДж при VDD = 1200 В, ID = 50 А. Тепловое сопротивление переход-корпус — 0,25 °C/Вт, максимальная рассеиваемая мощность — 600 Вт. Диапазон рабочих температур перехода — от –55 до +175 °C. Изоляционное напряжение — 3,5 кВ. Корпус — SOT-227 с отдельным выводом драйвера источника.

Транзистор ориентирован на применение в высокочастотных преобразователях, солнечных инверторах, промышленных приводах и системах бесперебойного питания. Официальным поставщиком продукции AMG Power в России является компания «Макро Групп».