«Симметрон» показывает в Москве транзисторы GaN-on-Si с защитой и КПД 99%

 В Москве размещены образцы интегрированных GaN-приборов SolidGaN производства Innoscience. Продукция относится к силовым транзисторам на основе технологии GaN-on-Si. Образцы представлены группой компаний «Симметрон».

Innoscience выпускает e-mode HEMT на напряжения от 30 до 700 В. Линейка SolidGaN включает приборы с интегрированными драйверами и схемами защиты. В серию ISG612x входят 700-В транзисторы с максимальным непрерывным напряжением сток—исток 700 В и неповторяющимся импульсным напряжением до 800 В (менее 200 мкс). Для моделей ISG6123 при 25 °C указаны RDS(on) 42 мОм и максимальный непрерывный ток стока 46 А, для ISG6124 — 59 мОм и 35 А соответственно. Приборы выпускаются в корпусах TOLL и TOLT для поверхностного монтажа, а также TO220F и TO247-4L.

В конструкции реализованы ограничение напряжения затвор—исток с допустимым постоянным диапазоном VGS 0,6–27 В, поцикловая защита от короткого замыкания по методу desaturation с порогом 7,3 В и временем блокировки 300 нс, защита от пониженного напряжения управления (UVLO) с порогом 8,7 В, а также тепловая защита с отключением при температуре кристалла около 160 °C. Допустимая скорость нарастания напряжения dVDS/dt составляет до 100 В/нс.

Для оценки характеристик разработана демонстрационная плата двунаправленного безмостового двухтактного PFC-преобразователя мощностью 4 кВт на базе транзисторов ISG6121TD. В конфигурации AC/DC (вход 200–265 В, выход 390 В, 10 А) при половинной нагрузке зафиксирован КПД 99,03%. В режиме инвертора (вход 375–425 В, выход 230 В/18 А) максимальный КПД при половинной нагрузке составил 98,95%.