AMG Power расширила ассортимент продукции SiC MOSFET транзистором A4G150N1200MT4

 AMG Power расширила ассортимент продукции SiC MOSFET транзистором A4G150N1200MT4. Данный транзистор, выполненный в стандартном корпусе TO-247-4, позволяет повысить плотность мощности без ущерба для надёжности устройства. Максимальный продолжительный ток 150 А и напряжение 1200 В сток-исток позволяют использовать модули в компактных высоконадёжных системах преобразования солнечной энергии, высоковольтных преобразователях постоянного тока, в том числе железнодорожного и подземного транспорта, промышленных источниках питания. 

A4G150N1200MT4 – 4 поколение SiC транзисторов AMG Power, которое управляется гибридно (15/18 В), как 2 и 3 поколение транзисторов и имеет минимальное на данный момент сопротивление Rds(on) – 10 мОм (при 18 VGS).

SiC MOSFET 1200 В 150 А с минимальным сопротивлением сток-исток 10 мОм в корпусе TO-247-4 A4G150N1200MT4SiC MOSFET 1200 В 150 А с минимальным сопротивлением сток-исток 10 мОм в корпусе TO-247-4 A4G150N1200MT4

Применение транзисторов:

• высокочастотные преобразователи
• преобразователи DC-DC
• солнечные инверторы и ветрогенераторы
• ИБП и ИИП
• преобразователи для ЖД и горного оборудования

Компания Макро Групп является поставщиком продукции AMG Power на территории России и стран СНГ