Обновленный SiC MOSFET транзистор 1700 В поколения Gen2 от компании AMG Power

AMG Power выпустила обновленную версию SiC MOSFET поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением -5/+18 В – A2G100N1700MT4. В связи со спросом на рынке на транзисторы SiC MOSFET со значением VGS -5/+18 В, AMG Power приняла решение о перевыпуске транзистора A2G100N1700MT4 в обновленной версии.

Основные параметры A2G100N1700MT4:

• напряжение сток-исток: 1700 В
• ток (при 25°C): 100 A
• Rds(On): 25 мОм
• управляющее напряжение затвор-исток: -5/+18 В
• тип корпуса: TO-247-4
• суммарный заряд затвора: 168 нКл
• максимальная температура перехода: 175 °C
• выходная ёмкость: 198 пФ
• рассеиваемая мощность: 484 Вт

Применение A2G100N1700MT4:

• тяговые преобразователи электромобилей
• высоковольтные DC/DC преобразователи
• импульсные источники питания
• инверторы солнечных батарей
• зарядные устройства электромобилей

Преимущества транзистора A2G100N1700MT4:

• повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость
• позволяет работать на высокой частоте переключения
• улучшает плотность мощности на уровне системы
• уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение
• простота параллельного соединения и управления