SiC MOSFET 1700 В третьего поколения Gen3 от AMG Power

AMG Power анонсировала SiC MOSFET транзистор нового поколения Gen3 1700 В 750 мОм 5 А в корпусе TO-263-7 с управляющим напряжением -5/+15 В – AMG5N1700MT7.

 Основные параметры SiC AMG5N1700MT7:

- напряжение сток-исток: 1700 В
- ток (при 25°C): 5 A
- Rds(On): 750 мОм
- напряжение затвор-исток: -5/+15 В
- тип корпуса: TO-263-7
- суммарный заряд затвора: 11 нКл
- максимальная температура перехода: 150 °C
- выходная емкость: 12 пФ
- рассеиваемая мощность: 60 Вт

Применение транзистора AMG5N1700MT7:

- преобразователи собственных нужд электротранспорта
- импульсные источники питания

Преимущества AMG5N1700MT7:

- повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость
- позволяет работать на высокой частоте переключения
- улучшает плотность мощности на уровне системы
- уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение
- удовлетворяют требованиям новых топологий с жестким переключением (Totem-Pole PFC)