В одном компактном корпусе серии (14 × 34,5 × 28 мм) исполнены три типа фотоэлектрических датчиков:
- раздельные приемник (датчик) и передатчик для обнаружения на пересечении луча ("на просвет");
- приемник и передатчик в одном корпусе для обнаружения по отражению от рефлектора (лучше купить специальную светоотражающую пленку Autonics).
- приемник и передатчик в одном корпусе по диффузному отражению (от самого контролируемого объекта).
Во всех случаях электропитание 12...24 В пост.тока плюс/минус 10%, с двумя выходами двух разных транзисторов p-n-p и n-p-n типа с открытым коллектором (что позволяет одновременно подключить к датчику две нагрузки: одну к питанию, а другую – к заземлению). Почти во всех случаях в фотоэлектрических датчиках источником света является красный светодиод с длиной волны 660 нм (при повышенной дальности обнаружения по диффузному отражению применяется инфракрасный светодиод 850 нм).
В данной серии фотоэлектрических датчиков для рефлекторного обнаружения объектов с собственной отражающей способностью применяется функция MSR (Mirror Surface Rejection, зеркальное отражение от поверхности), подавляющая собственное отражение контролируемого объекта за счет применения поляризованного света, а для обнаружения на просвет – подавление перекрестных помех.
Серия предполагает два типа монтажа для фотоэлектрических датчиков BH: в отверстие гайкой М18 (монтаж на фронтальную поверхность) или двумя винтами М3 через сквозные боковые отверстия в корпусе (на боковую поверхность). Это является важным конкурентным преимуществом серии ВН. Фотоэлектрические датчики сертифицированы по степени защиты IP67 (кроме монтажных отверстий), по вибрации и ударным воздействиям, рабочая температура: -25...55 °С.


_small.jpg)

