Компания CREE объявила о выходе двух новых GaN-транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Основной областью применения новинок, CGHV14250 и CGHV14500 с выходной мощностью 250 Вт и 500 Вт соответственно, являются радары L-диапазона с диапазоном рабочих частот 1,2–1,4 ГГц. Новые транзисторы CREE по сравнению с существующими компонентами обладают повышенной эффективностью при температуре 85°C, высоким коэффициентом усиления по мощности, а также широкой пропускной способностью. Это позволяет улучшить характеристики специального оборудования, работающего в диапазоне частот от UHF до 1,8 ГГц: радионавигационных систем ближнего действия (TACAN), радиолокационных систем опознавания самолетов и кораблей типа «свой – чужой» (IFF) и других военных телеметрических систем.
С помощью новых транзисторов, основанных на технологии GaN на SiC с рабочим напряжением 50 В и толщиной затвора 0,4 мкм, специалисты-разработчики могут получить отличные показатели мощности и малые искажения, связанные, например, с изменениями формы сигнала.
Данные компоненты имеют предварительное согласование на входе, собраны в металлокерамических фланцевых корпусах или корпусах таблеточного типа, которые значительно меньше, чем аналогичные СВЧ-компоненты на основе арсенида галлия (GaAs) или кремния (Si), что дает возможность обеспечить гибкий подход в проектировании новых решений.
Новые изделия имеют следующие характеристики:
транзистор CGHV14250
- типичная выходная мощность 330 Вт,
- коэффициент усиления составляет 18 дБ,
- типовой КПД стока равен 77%;
транзистор CGHV14500
- типичная выходная мощность 500 Вт,
- коэффициент усиления составляет 17 дБ,
- типовой КПД стока равен 70%.
Образцы новых транзисторов можно заказать у официального дистрибьютора компании CREE Microwave в России и странах СНГ – компании ПРОСОФТ.
Компания ПРОСОФТ
_big.jpg'); "4(106)_small.jpg")
