SCADA, АСУ ТП, контроллеры – основная тематика журнала «ИСУП»
Журнал «Информатизация и Системы Управления в Промышленности» публикует тематические материалы посвященные SCADA, АСУ ТП, контроллерам, автоматизации в промышленности.

CREE выпускает 50 В GaN HEMT-транзисторы, значительно снижающие энергопотребление сетей сотовой связи

Компания CREE представляет линейку новых GaN HEMT-устройств c рабочим напряжением в 50 В, позволяющих значительно снизить расход энергии на питание сетей сотовой связи.
Untitled-1.jpg
По приблизительным оценкам мировая сотовая сеть потребляет более 100 ТВт/ч электричества в год (приблизительно – 12 млрд долларов), причем около 50-80% потребляемой энергии приходится на усилители мощности и инфраструктуру питания.

Использование новой, инновационной технологии от CREE в усилителях мощности на базовых радиостанциях дало повышение энергоэффективности более чем на 20% по сравнению с нынешней технологией, работающей с 4G-сигналом на частоте 2,6 ГГц. Возросшая эффективность усилителей мощности может сохранить в сумме 10 ТВт/ч, что сопоставимо с мощностью двух АЭС.

Значительный выигрыш в цене возможен не только благодаря сокращению расхода энергии, но и, в том числе, из-за снижения стоимости самой системы. Высокоэффективный усилитель позволит изготовителям уменьшить затраты на оборудование, упростив системы охлаждения.

Кроме того, высоковольтные GaN-компоненты могут снизить стоимость преобразователей переменного и постоянного тока. В целом, цена на материалы может быть сокращена приблизительно на 10%, что значительно повлияет на стоимость всей системы.

HEMT-транзисторы фирмы CREE с рабочим напряжением 50 В на основе нитрида галлия с выходной мощностью в 100 и 200 Вт выпускаются в двух частотных диапазонах: 1,8–2,2 ГГц и 2,5–2,7 ГГц. Внутренняя структура устройств выполнена с учетом максимальной производительности, что позволяет достичь значительной мгновенной ширины полосы частот. 50-вольтовые HEMT-транзисторы на основе нитрида галлия фирмы CREE идеальны для использования в высокоэффективных усилителях Догерти, где могут быть достигнуты усиления свыше 18 дБ при 2,14 ГГц и 16 дБ при 2,6 ГГц.

«Мы считаем, что наши 50-вольтовые HEMT-продукты на основе нитрида галлия могут оказать значительное влияние не только на стоимость производства, но и снизить глобальное энергопотребление», - объяснил Джим Миллиган, коммерческий директор CREE. «Несколько крупных производителей оборудования для коммуникаций уже внедрили низковольтные образцы нашей технологии в целях реализации этих преимуществ. На данный момент, по нашим оценкам, первые результаты позволили компаниям сохранить 2400 МВт/ч. Производство такого количества энергии сопровождается выбросом около 1400 м3 CO2 в атмосферу», - уточнил он.

Новые HEMT-транзисторы с рабочим напряжением в 50 В на основе нитрида галлия доступны в качестве образцов, серийное производство начнется в ноябре 2012 года.

Более подробно о данной продукции вы можете узнать у официального дистрибьютора CREE Microwave в России и странах СНГ – компании ПРОСОФТ.

Компания ПРОСОФТ